)集成到一起，是未来封装的发展方向。作为晶圆代工一哥的台积电，是半导体技术革新的领头羊，那么它有哪些前沿的2.5/3D IC封装技术呢？
传统的3D IC封装技术通常用微凸点（micro-bumps）作为芯片间的互连结构。然而，微凸点的间距限制了互连密度，因而限制了整体的集成密度和性能。
相比之下，SoIC技术采用了无凸点的直接键合技术，这种技术能够减小芯片间距离，从而弥补了传统3D IC封装的短板。
CoW是将单独的芯片（Chip）直接键合到一个待加工的晶圆（Wafer）上，而WoW则是将整个晶圆与另一个晶圆直接堆叠并键合。
InFO（Integrated Fan-Out），是一种先进的扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术。InFO技术通过在晶圆上实现裸晶的扇出式布线（Fan-Out），使得芯片不需要传统的基板，直接在芯片的外围形成更多的I/O连接点。随着技术的发展，TSMC推出了几种不同的InFO技术变体，以满足不同应用的需求，包括InFO-PoP、InFO-oS、InFO-LSI等。
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是一种先进的2.5D封装技术，它是将多个不同功能的芯片首先封装到一个硅转接板上，利用这个硅转接板上的高密度布线实现芯片间的互连，然后整个结构再被安装到一个更大的封装基板上。CoWoS包括CoWoS-S，CoWoS-R,CoWoS-L. TSMC-SoIC,InFO，CoWoS之间的关系？
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获得苹果iPhone5芯片追加订单已成事实。然而，在iPhone 5推出后，苹果已朝下一世代A7处理器迈进，
16纳米鳍式场效晶体管升级版（FinFET Plus）将在明年1月全产能量产，搭配整合型扇出晶圆尺寸
)70%至80%的订单。高通前一代电源管理芯片是由中芯国际(SMIC)生产的，后者在其8英寸晶圆厂使用0.18至0.15
