存储器想必大家已经非常熟悉了，大到物联网服务器终端，小到我们日常应用的手机、电脑等电子设备，都离不开它。作为计算机的“记忆”装置，其主要功能是存放程序和数据。一般来说，存储器可分为两类：易失性存储器和非易失性存储器。其中，“易失性存储器”是指断电以后，内存信息流失的存储器，例如 DRAM（动态随机存取存储器），包括电脑中的内存条。而“非失性存储器”是指断电之后，内存信息仍然存在的存储器，主要有 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。
存储器作为电子元器件的重要组成部分，在半导体产品中占有很例。根据 IC Insights 统计，即使全球市场持续受到 COVID-19 的影响，存储产品的年增长率仍将突破 12%，达到 124.1B$，并且在数据中心和云服务器应用上发展巨大。根据其预测，在不久的将来，存储的需求将保持 10.8% 的增长率，同时均价也将以 7.3% 的年增长率逐年上升，将成为芯片行业最大增长点之一。
虽然，大众普遍对于存储器已有初步认知，但对于其制造流程还是不甚了解。根据产业链划分，存储器制造流程的核心环节主要包括四个部分，即 IC 设计、芯片制造、芯片封装、成品测试。其中芯片封装与成品测试属于芯片制造的最后环节，也是决定着产品是否成功的关键步骤。长电科技具备核心封测技术和自 2004 年以来的大量生产经验，能有效把控存储封装良品率，助力存储产品迅速发展。
目前全球存储器封装技术几经变迁，封装工艺逐渐由双列直插的通孔插装型转向表面贴装的封装形式，其中先进的封装技术是发展主流，包括晶圆级封装（WLP）、三维封装（3DP）和系统级封装（SiP）等。存储器和终端厂商在成本允许的条件下，采用先进封装技术能够提升存储性能，以适应新一代高频、高速、大容量存储芯片的需求。
存储器的封装工艺制程主要分为圆片超薄磨划、堆叠装片、打线、后段封装几个环节。其中，“圆片磨划”是存储技术的 3 大关键之一，其主要目的是硅片减薄和切割分离。这对于存储封装的轻量化、小型化发展十分重要，然而更薄的芯片需要更高级别的工艺能力和控制，这使得许多封装厂商面临着巨大的挑战。
随着芯片的厚度越薄，芯片强度越脆，传统的磨划工艺很容易产生芯片裂纹，这是由于传统机械切割会在芯片中产生应力，这将会导致芯片产生一些损伤，如侧崩、芯片碎裂等，而减薄后的圆片，厚度越小，其翘曲度越大，极易造成圆片破裂。
在此环节，长电科技摒弃了对芯片厚度有局限性的传统磨划工艺，根据金属层厚度与圆片厚度的不同，分别采用 DAG（研磨后划片）、SDBG（研磨前隐形切割）、DBG（先划后磨）等不同的工艺技术。
DBG 工艺是将原来的「背面研磨→划片」的工艺程序进行逆向操作，即：先对晶片进行半切割加工，然后通过背面研磨使晶片分割成芯片的技术。通过运用该技术，可最大限度地抑制分割芯片时产生的侧崩和碎裂，大大增强了芯片的自身强度。
而 SDBG 则是一种激光切割方法，与刀片切割不同，这种方法不会产生机械振动，而是在芯片内部形成变质层之后，以变质层为起点进行分割，最后通过研磨将变质层除去。因此，使用隐形切割工艺时，刀痕宽度几乎为零，这对切割道进一步狭窄化有着很大的贡献。与通常的刀片切割工艺相比，单位圆片可获取的芯片数量有望增加。
当然，除了翘曲和碎裂的问题，在芯片封装过程中，任何一颗细小的颗粒都是致命的，它很可能会导致芯片的碎裂，从而使整个产品报废。因此，在生产过程中对于洁净度控制显得尤为重要。
针对这个问题，长电科技不仅为每台贴片机器配置 HEPA 过滤器，并且还为工作人员设置专用、密封的工具进行产品转移，以确保绝对洁净的作业环境。作为全球领先的半导体微系统集成和封装测试服务提供商，长电科技不仅在“圆片磨划”环节有良好的把控，对于整体的封装工艺都有着成熟的技术和先进的设备支持。针对超薄芯片的贴装，长电科技有着多条 SMT 产线、贴装超薄芯片夹具与先进的 molding 工艺，能够帮助客户提供最佳的封装解决方案。
存储芯片完成封装工艺之后，将进入测试阶段，这个阶段主要是为了确认芯片是否能够按照设计的功能正常运作，如 DRAM 产品测试流程包括了老化测试、核心测试、速度测试、后段工艺几个步骤，只有测试合格的产品才可以进行量产和出货。
长电科技在测试环节拥有先进的测试系统和能力，能够向客户提供全套测试平台和工程服务，包括晶圆凸点、探针、最终测试、后测试和系统级测试，以帮助客户以最低的测试成本实现最优解。目前长电科技已经和国内外存储类产品厂商之间有广泛的合作。其中，NAND 闪存以及动态随机存储产品已得到海内外客户认可，并已经量产。
随着芯片不断向微型化发展，工艺制程开始向着更小制程推进，已经越来越逼近物理极限。在此情况下，先进的封测技术是未来存储技术的重要发展方向。长电科技作为中国封测领域的龙头企业，在先进封测领域持续突破创新，致力于为客户提供优质、全面的服务，助力存储产业发展。
尽管市场普遍猜测三星将向其主要NAND闪存客户提供产品价格折扣，但是三星反驳了市场上的这种猜测，强调公司不会实行任何不公平的价格政策。 市场消息人士指出，今年8月初，三星在其工厂停产期间，把其NAND闪存的价格提高了20%，这引起了许多内存模板制造商的强烈不满。该消息人士还补充说，三星将于本月底向其主要客户提供价格折扣，以弥补它们因此导致的利润减少。 不过，三星对此予以了反驳。 DRAMeXchange 公布的数字显示，8月28日，市场上的8GB多层单元NAND闪存的价格为8.38美元， 8月下旬同一规格的NAND闪存价格为9.02美元。三星称向其合同客户提供的8Gb 多层单元NAND闪存的价格为9.5美元。
每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议（International Electron Devices Meeting，缩写：IEDM） 在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、功率与能量收集元件、高速元件、制程技术、元件模型化与模拟。 会议也涵盖硅、化合物、有机半导体与新兴材料系统元件的讨论和简报。 在今
在第七届中国国际 半导体照明 展览会暨论坛上，武汉 光电 国家实验室，华中科技大学微系统研究中心主任刘胜作了题为《 LED封装 中铜线及金线键合工艺的比较》的报告。 压焊工艺（wire bonding）是LED封装环节的关键工艺。在LED封装过程中主要通过压焊工艺实现 LED芯片 与封装支架的电连接。LED封装企业目前普遍采用金线压焊，但金线价格昂贵，导致 LED 成本升高。相反的，铜线价格低廉，在降低成本方面具有巨大应用潜力。 在报告中，刘胜教授通过有限元法建立模型，对 大功率LED 封装中金线和铜线压焊工艺进行分析对比，为铜线压焊工艺参数优化提供理论依据。
耗散功率可达500mW，有效节省PCB空间。 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 11 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸MicroSMF eSMP系列封装的首个新系列稳压二极管---PLZ系列，耗散功率达500mW。PLZ系列具有极严格的电压公差、低泄漏电流和优异的稳定性，可承受8000V的ESD脉冲(模型)，节省PCB空间，能提高组装生产线的拾放速度。 今天推出的Vishay Semiconductors器件具有500mW的功率耗散，电压公差为±2.5%，采用对称的玻璃SOD-323扁平引线封装。
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5月16日，湖北省黄石市创新发展中心副主任王楠、市经信局规划办和信息化推进科相关负责人一行深入宏锐兴封装基板项目现场走访调研。 宏锐兴封装基板项目总投资8亿元，用地面积79亩，主要生产通讯类、生活类封装载板。项目建成后可年产封装基板100万㎡，目前，一期厂房已基本搭建完毕，预计年内将竣工试产。项目全部建成达产后，年营业收入可达9亿元人民币。 据悉，该项目建设单位为宏锐兴(湖北)电子有限责任公司，公司成立于2020年7月16日，注册资本8000万人民币，法定代表人刘畅。
DRAM合约价跌跌不休，集邦科技统计，DDR3 4GB模组价格于5月反弹至36.5美元，但随后一路走跌至今，12月最新合约价DDR3 4GB 16.5美元为基准，跌幅达55%，在跌价压力与需求不振驱使下，DRAM厂纷纷启动减产机制或是转型下，预估12月全球DRAM投片量已逼近金融风暴时期低点，有助于价格酝酿触底回升。 根据集邦科技的统计，全球DRAM产业已自2008年全盛时期单月的1,500K投片量下修至2012年最低单月的1,000K左右，投片减幅达33%，且12月的投片量更已经逼近2009年金融风暴时期的投片最低点986K，其中又以台系DRAM厂减幅最高，投片量上从2011年的高点450K至12月仅剩250K投片
在 2006 年 9 月 11 至 13 日在台北世贸中心举行的 SEMICON Taiwan 2006 展会上 ， DEK 公司展示了其封装领域最新颖先进的技术。 在展览一馆的 A232 展位上， DEK 技术人员演示了一系列最新的封装应用，包括晶圆 焊球置放 、晶圆背面涂层和 BOC 开窗载板涂胶应用。此外， DEK 将按照与 MicroStencil 达成最新的协议，展示其尖端的工艺支持产品“ Platinum 系列网板” 。 Galaxy 印刷机专为 DirEKt Ball Placement 植球工艺而设计 ， 这项独特的工艺利用
引言 在电视屏幕上显示照片上当今照相手机中一项越来越重要的功能，因为它能让您比以往更令人满意地与朋友及家人一起观看您拍摄的照片，电视输出功能能以相对较少的成本增加至照相手机中，并为手机厂商提供重要的增收机会。 照相手机对技术的要求远比典型的视频应用技术更具挑战性，并且需要性能、功耗、印制电路板空间与成本之间进行折衷。照相手机与电视机机顶盒中对技术的要求就可形成鲜明对比。首先，机顶盒与交流电源相连，故功耗并不是大问题，其次，视频信号电路板安装在一个空间相对较大的盒子中，因此封装尺寸与所需外部器件数通常也不那么重要，第三，机顶盒电源电压一般为5V（或更高的）单电源，因此给视频信号留有较大的余地。但在照相手机中以上每个方面都有特定的设
MPS电机研究院 让电机更听话的秘密！ 第一站：电机应用知识大考！第三期考题上。
