电子科技大学程玉华团队报道了一种互补电路用垂直有机电化学晶体管。相关研究成果于2023年1月18日发表在《自然》。
有机电化学晶体管（OECT）和基于OECT的电路由于其极低的驱动电压（1V）、低功耗（1W）、高跨导（10 mS）和生物相容性，在生物电子学、可穿戴电子器件和人工神经形态电子器件中具有巨大潜力。然而，关键互补逻辑OECTs的成功实现目前受到时间和/或操作不稳定性、缓慢的氧化还原过程和/或切换、与高密度单片集成的不兼容性以及较差的n型OECT性能的限制。
该文中，研究人员通过将氧化还原活性半导体聚合物与氧化还原非活性光固化和/或光图案化聚合物混合，以形成离子可渗透半导体通道，在具有致密、不可渗透顶部接触的简单、可扩展的垂直结构中实现，从而展示了具有平衡和超高性能的p型和n型垂直OECTs。据研究人员所知，这是第一个实现在小于0.7V的情况下，足迹电流密度超过1kAcm2，跨导为0.20.4S，短瞬态时间小于1ms，超稳定开关（50000个周期）的垂直堆叠互补垂直OECT逻辑电路。该结构为纳米限域中有机半导体氧化还原化学和物理的基础研究以及可穿戴和可植入设备应用提供了许多可能性，并且无需宏观电解质接触。
