是一种半导体器件，用于控制电流的流动。它由至少三个电极构成：发射极（Emitter）、基极（Base）、集电极（Collector）。晶体管的工作原理基于半导体材料中的载流子（电子和空穴）行为。
晶体管的工作可以通过控制基极电压来调节发射极和集电极之间的电流。当在基极施加正向偏压时，会引起基区的载流子浓度增加，从而使得发射极和集电极之间的电流增大。反之，当基极施加反向偏压时，会使得基区的载流子浓度减小，从而导致发射极和集电极之间的电流减小。
晶体管的工作可以分为两种基本模式：放大模式和开关模式。在放大模式下，晶体管可以作为放大器来放大信号。而在开关模式下，晶体管可以作为开关来控制电路的开关状态，例如用于数字电路中的逻辑门。
晶体管的发明是电子技术领域的重大里程碑，它的出现使得电子设备的性能得到了极大的提升，推动了现代电子技术的发展和应用。今天，道合顺详细分析了晶体管的类型。（本文素材来源：）
晶体管所使用的半导体材料可分为锗材料晶体管和硅材料晶体管。根据晶体管的极性可分为锗NPN晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。
晶体管可分为金属封装晶体管、塑料封装晶体管、玻璃封装晶体管、表面封装晶体管和陶瓷封装晶体管。有多种封装形状。
晶体管可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、高反压晶体管、阻尼晶体管、光电晶体管、带阻晶体管、磁敏晶体管等。
功率晶体管 GTR 是一种双极结型晶体管，可以承受电流和高电压。因此有时也称为功率 BJT。其特点是：耐压高、电流大、开关特性好。但其驱动电路复杂，驱动功率大。GTR 和双极结型晶体管的原理完全相同。
光电晶体管是由三端器件（如双极晶体管或场效应晶体管）组成的光电元件。光在其活性区域被吸收，产生光生载流子。通过内部电放大机制，产生光电流增益。光电晶体管在三个端子上工作。易于实现电控或电同步。光电晶体管使用的材料通常是砷化镓。主要分为双极型光电晶体管、场效应光电晶体管及相关器件。双极型光电晶体管通常增益较高，但速度不太快。场效应光电晶体管响应速度快。其缺点是感光面积小，增益小。它通常用作极高速光学探测器。还有许多其他与此相关的平面光电器件。特点是速度快，适合集成。此类器件有望在光电集成领域得到广泛应用。
双极晶体管是指音频电路中非常常用的一种晶体管。双极源自两种半导体材料中电流之间的关系。双极晶体管根据其工作电压的极性分为PNP型或NPN型。
双极结型晶体管也称为半导体晶体管。这是一种通过特定程序连接两个 PN 结的仪器，具有 PNP 和 NPN 两种组合结构。从外部引出三个极：集电极、发射极和基极。收集器是从收集器区域抽取的。发射器从发射区域引出。底座是从底座区域绘制的。BJT具有放大作用。为了保证这个传递过程，一方面必须满足内部条件。要求发射极区的杂质浓度远大于基极区的杂质浓度，并且基极区的厚度要小。此外，还需要满足外部条件。发射器结应正向偏置，集电极结应具有反向偏置。BJT 有多种类型。按频率分为高频管和低频管。按功率分为小功率管、率管、大功率管。按半导体材料分为硅管和锗管。它由放大电路形式组成：共发射极、共基极、共集电极放大电路。
场效应晶体管是利用场效应原理的晶体管。简称场效应管。场效应改变垂直于半导体表面施加的电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它通过电压调制通道中的电流。其工作电流是由半导体中的大部分载流子传输的。这种只有一种极性载流子参与导电的晶体管也称为单极晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、极限频率高、功耗低、制造工艺简单、温度特性好等特点。广泛应用于各种放大电路、数字电路、微波电路中。
静电感应晶体管SIT是结型场效应晶体管。它将用于信息处理的低功率SIT器件的水平导电结构改为垂直导电结构，制成大功率SIT器件。SIT 是一种多子导电装置。其工作频率与功率MOSFET相当甚至更高。其功率容量也比功率MOSFET大。因此，适用于高频、大功率场合。已广泛应用于雷达通讯设备、功率放大、脉冲功率放大、高频感应加热等一些专业领域。
单电子晶体管（Single-Electron Transistor，SET）是一种极小型的电子器件，通常用于研究和实验领域，用于处理和控制单个电子的运动和操纵。它是一种量子效应器件，利用了量子力学的规律来控制电子的运动。
单电子晶体管的工作原理基于量子力学中的量子隧穿效应。当栅极施加电压时，会在隧穿隔离层中形成一个能量势垒，使得只有能量足够高的电子才能通过隧穿效应穿过势垒。通过调节栅极电压，可以控制势垒的高度，从而控制通过晶体管的电子数量。
由于单电子晶体管的尺寸非常小，因此它们可以用于探索和理解单个电子的行为，以及在纳米尺度上控制和操作电子的方法。它们在量子计算、量子信息处理、传感器技术等领域具有潜在的应用前景。
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）和场效应型晶体管（FET）的特点，具有高功率、高频率和低开关损耗等优点。它的主要特点是在结构上将MOSFET的栅极和BJT的基极隔离开来，通过MOSFET的栅极控制BJT的导电区，从而实现对电流的控制。
IGBT的结构通常由N型绝缘体栅、P型基区、N型漏极和P型集电极组成。在工作时，通过MOSFET的栅极电压来控制P型基区的导电状态，进而控制漏极和集电极之间的电流流动。这种结构既保留了BJT的低导通压降和高导通电流的特点，又具有MOSFET的电压控制特性。
