。这三个端子分别称作漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。如图所示,若漏极 — 源极之间外加电压，则流通电流Id。接下来，在栅极 — 源极之间外加反向电压，则耗尽层扩大，电流的通道(沟道)变窄，电流受到限制。
电流Id称为漏极电流，通过变化栅极 — 源极之间的电压可以改变耗尽层的厚度，从而改变漏极电流。
如图所示，沟道为N型半导体的FET称为N沟道FET,沟道为P型半导体的FET称为P沟道FET。在普通的晶体管中，电流由电子与空穴搬运，其“具有两种极性”，所以被称为双极性晶体管。与此相比，N沟道FET是由电子来搬运电流的，P沟道FET是由空穴来搬运电流的，因此也称之为单极晶体管。
普通的晶体管为电流控制型元件。与此相反,FET为电压控制型元件。FET具有输入阻抗高、噪声小的特点。
在图中，栅极使用的是PN结，因此称为结型FET。与此相比，在半导体的表面制备一层绝缘性能很好的非常薄的氧化绝缘膜(SiO2),在此之上蒸镀金属而构成栅极的场效应管称为MOS型FET。这里所说的蒸镀是指将金属在真空中加热，金属熔解、蒸发后附着于半导体的表面，从而形成薄膜。MOS为Metal- Oxide Semiconductor的缩写,其含义为金属氧化物半导体。图中列出了结型FET与MOS型FET的图示符号。
